特許

J-GLOBAL ID：201103016085427200

成膜装置

発明者： 沖野 賢司
出願人/特許権者： 株式会社ブリヂストン
代理人 (5件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-113724
公開番号（公開出願番号）：特開2011-243710
出願日： 2010年05月17日
公開日（公表日）： 2011年12月01日
要約：

【課題】 ホモエピタキシャル成長による成膜中における薄膜上への副生成物の落下量が減少して半導体ウエハの品質が向上する成膜装置を提供する。【解決手段】 本発明に係る成膜装置1は、上面に炭化ケイ素基板2が載置されるサセプタ3と、これらの炭化ケイ素基板2およびサセプタ3を収容する反応容器4と、を備え、前記炭化ケイ素基板2上に薄膜をホモエピタキシャル成長させる成膜装置1である。サセプタ3の上面および反応容器4の内面の少なくともいずれかに、単結晶または多結晶の3C-SiCからなる第1のライナー7と第2のライナー8を設けている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

炭化ケイ素基板が載置されるサセプタと、前記炭化ケイ素基板および前記サセプタを収容する反応容器とを備え、前記炭化ケイ素基板上に炭化ケイ素の薄膜をホモエピタキシャル成長させる成膜装置であって、 前記サセプタの上面の少なくとも一部、および前記反応容器の内面の少なくとも一部に、単結晶または多結晶の3C-SiCからなるライナー部材を有する成膜装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44

FI (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/44 J

Fターム (17件)：

4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030DA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030KA09 ,  4K030KA46 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045BB12 ,  5F045BB15 ,  5F045DP04 ,  5F045EC05 ,  5F045EM02