半導体装置の製造方法及び基板処理システム

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：油井透 , 阿仁屋節雄 , 清野仁 , 福岡昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-217876
公開番号（公開出願番号）：特開2011-066345
出願日： 2009年09月18日
公開日（公表日）： 2011年03月31日
要約：

【課題】TiO2膜とHfO2膜との相互拡散を抑制でき、リーク電流の増加を抑制させる。【解決手段】基板上に第1の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、第1の高誘電率絶縁膜上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に第2の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、第1の高誘電率絶縁膜、絶縁膜および第2の高誘電率絶縁膜が形成された基板に対して熱処理を行う工程と、を有し、第1の高誘電率絶縁膜、絶縁膜および第2の高誘電率絶縁膜は、それぞれが異なる物質で構成されると共に、絶縁膜は、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、または、窒化シリコン膜で構成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に第1の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、前記第1の高誘電率絶縁膜上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に第2の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、前記第1の高誘電率絶縁膜、前記絶縁膜および前記第2の高誘電率絶縁膜が形成された基板に対して熱処理を行う工程と、を有し、前記第1の高誘電率絶縁膜、前記絶縁膜および前記第2の高誘電率絶縁膜は、それぞれが異なる物質で構成されると共に、前記絶縁膜は、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、または、窒化シリコン膜で構成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/316 , H01L 29/78 , H01L 21/314 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (6件)：

H01L21/316 M , H01L29/78 301G , H01L21/314 M , H01L21/316 P , H01L27/10 651 , H01L27/04 C

Fターム (45件)：

5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC16 , 5F038AC18 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F058BA01 , 5F058BA11 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BC08 , 5F058BC09 , 5F058BD02 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BD12 , 5F058BF02 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BG01 , 5F058BG02 , 5F058BG03 , 5F058BG04 , 5F058BH01 , 5F058BH02 , 5F058BJ03 , 5F083AD60 , 5F083GA06 , 5F083GA25 , 5F083JA02 , 5F083JA03 , 5F083JA12 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083JA40 , 5F083PR21 , 5F083PR33 , 5F140AA24 , 5F140AB09 , 5F140BD02 , 5F140BD11 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE16

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