特許
J-GLOBAL ID：201103016320929811
カーボンナノチューブ剥離後のシリコン基板再利用方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-234260
公開番号（公開出願番号）：特開2011-079711
出願日： 2009年10月08日
公開日（公表日）： 2011年04月21日
要約：
【課題】CNT剥離工程後の基板を少ない時間と安い費用でCNT成長用基板として再利用可能にすること。【解決手段】基板表面に熱シリコン酸化膜が形成され、かつ、この熱シリコン酸化膜上の触媒金属微粒子に炭素含有ガスが接触反応してカーボンナノチューブを成長させる工程と、剥離具等により基板表面からカーボンナノチューブが剥離される工程と、を経たシリコン基板を再利用する方法であって、高温炉内に上記工程後のシリコン基板を搬入する工程と、この高温炉内に水分と、酸素とを導入する工程と、高温炉内温度を上記基板表面での剥離残渣の熱分解と熱シリコン酸化膜形成とを同時に行える温度に設定する工程と、を含む。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
基板の熱シリコン酸化膜上の触媒金属微粒子に炭素含有ガスを接触反応させてCNTを成長させる工程と、
基板表面からCNTを剥離する工程と、
を経たシリコン基板を再利用する方法であって、
上記工程後のシリコン基板を高温炉内に搬入する工程と、
この高温炉内に水分と酸素とを導入する工程と、
高温炉内温度を、熱シリコン酸化膜の最低生成温度以上で、かつ、熱分解対象とする残渣の最低熱分解温度以上の温度に設定する工程と、
を含むことを特徴とする基板再利用方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
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