特許
J-GLOBAL ID：201103016337788898
半導体素子駆動回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田澤 博昭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-200543
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028534
特許番号：特許第3756353号
出願日： 1999年07月14日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 アノード・エミッタショート型のゲートターンオフ・サイリスタを駆動するための、前記ゲートターンオフ・サイリスタのゲート-カソード間に印加する広幅オンゲート信号を発生する広幅オンゲート信号発生回路と、
前記ゲートターンオフ・サイリスタに逆並列接続されてゲートターンオフ・サイリスタ回路を形成するダイオードの一端及び前記ゲートターンオフ・サイリスタのカソードに接続したオーバードライブ用電圧源及びオフゲート用電圧源と、前記オーバードライブ用電圧源に一端が接続し、他端が前記ゲートターンオフ・サイリスタのゲートに接続するスイッチであって、前記オーバードライブ用電圧源からの直流電圧をオン・オフすることで、前記ゲートターンオフ・サイリスタのゲート-カソード間に印加する単一パルスのオーバードライブ信号を発生するオーバードライブ用スイッチと、前記オフゲート用電圧源に一端が接続し、他端が前記ゲートターンオフ・サイリスタのゲートに接続し、両端に容量が寄生するスイッチであって、前記オフゲート用電圧源からの直流電圧をオン・オフすることで、前記ゲートターンオフ・サイリスタのゲート-カソード間に印加する単一パルスのオフゲート信号を発生するオフゲート用スイッチとを有する単一パルスゲート信号発生回路と、
前記ゲートターンオフ・サイリスタのゲート-カソード間電圧レベルが所定のレベルより高いか低いかを判別して、ハイまたはロウレベルの判別信号を出力するゲート-カソード間電圧レベル判別回路と、
前記ゲートターンオフ・サイリスタのオン・オフ指令に従って、前記広幅オンゲート信号発生回路と単一パルスゲート信号発生回路の各スイッチとを制御するための指令信号を生成する指令信号生成回路と、
前記指令信号生成回路が生成した広幅オンゲート指令信号と前記ゲート-カソード間電圧レベル判別回路の出力とを入力とし、前記広幅オンゲート指令信号がオン時でかつ、前記ゲートターンオフ・サイリスタに逆並列接続されてゲートターンオフ・サイリスタ回路を形成するダイオードに電流が流れるのを、前記ゲート-カソード間電圧レベル判別回路が判別したときに、その出力が前記広幅オンゲート信号発生回路をオフさせる信号となるアンド機能を持った第1のアンド回路と、
前記ゲートターンオフ・サイリスタのゲート-カソード間に並列接続され、前記ゲートターンオフ・サイリスタ回路に流れる電流の負方向期間が終了する際、ゲート-カソード間の電圧差をなくすためのプルアップ抵抗とを備え、
前記ゲートターンオフ・サイリスタに逆並列接続されたダイオードに電流が流れる間、前記オフゲート用スイッチの両端に寄生する容量と前記プルアップ抵抗とによる時定数分の動作遅延を抑制するように、前記オーバドライブ用スイッチにより前記ゲートターンオフ・サイリスタのゲート-カソード間に印加する単一パルスのオーバードライブ信号を発生してゲート-カソード間電圧を前記所定のレベルに固定する半導体素子駆動回路。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H03K 17/725 B
, H03K 17/725 A
