半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-195945
公開番号（公開出願番号）：特開平3-060166
特許番号：特許第2802940号
出願日： 1989年07月28日
公開日（公表日）： 1991年03月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1の導電型から成る半導体基板内に並列接続した、単位セル群を構成せしめた、半導体装置において、単位セル群の周辺部に、第1の導電型と同型の高濃度領域により等電位リングを形成し、該等電位リングを含む半導体基板上に第1の絶縁膜を介し、ゲートと同一材料による導電層を配設し、該導電層上に第2の絶縁膜を介して電流検出用金属配線を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/768 , H01L 29/41

FI (3件)：

H01L 29/78 652 P , H01L 29/44 E , H01L 21/90 W

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