特許

J-GLOBAL ID：201103016677549944

半導体記憶装置

発明者： 寺田 裕
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-325537
公開番号（公開出願番号）：特開2003-132684
特許番号：特許第4171201号
出願日： 2001年10月23日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1および第2のメモリセルを備え、前記第1および第2のメモリセルの各々は、リードとライト動作のポートが固定されており、一対の第1のトランジスタと、一対の第2のトランジスタと、リング状に接続された一対の第1のインバータとにより構成され、前記第1のトランジスタはライト動作に使用され、前記第2のトランジスタはリード動作に使用され、 前記第1および第2のメモリセルの前記第1のトランジスタのゲートは、ライトワード線に共通に接続され、 前記第1および第2のメモリセルの前記第2のトランジスタのゲートは、リードワード線に共通に接続され、 前記ライトワード線と前記リードワード線とを同時に活性化させ、前記第1のメモリセルに対して書き込み動作を行い、前記第2のメモリセルに対して読み出し動作を行う際に、前記第2のメモリセルにおいて、前記第1のトランジスタを流れる第1の電流が前記第2のトランジスタを流れる第2の電流よりも少ないことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 11/41 ( 200 6.01) ,  G11C 11/413 ( 200 6.01) ,  G11C 11/412 ( 200 6.01)

FI (5件)：

G11C 11/34 K ,  G11C 11/34 335 A ,  G11C 11/34 335 C ,  G11C 11/34 345 ,  G11C 11/40 301

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 読出し及び読出し/書込みポートを備えたデュアルポートメモリー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-012998   出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー