特許
J-GLOBAL ID：201103016683951061
ドライエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊沢 敏昭
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-233096
公開番号（公開出願番号）：特開平3-096231
出願日： 1989年09月09日
公開日（公表日）： 1991年04月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】下地体上の被エッチ材層を選択的に覆うようにレジスト層を形成して成る被処理品を反応性イオンエッチング装置の処理室に収容して前記レジスト層をマスクとしてドライエッチング処理を行なうドライエッチング方法において、前記処理室における処理を第1乃至第3のステップに分け、第1のステップでは、前記レジスト層の下のアンダーカットを防止しうる程度に薄い側壁保護膜が前記レジスト層に覆われた被エッチ材層部分の側部に形成されるような処理条件にて前記レジスト層に覆われない被エッチ材層部分を前記下地体に達するまで異方的にエッチ除去し、第2のステップでは、前記処理室にて高周波電力を低下させ且つ反応ガス圧を上昇させることにより前記側壁保護膜に他の側壁保護膜を被着させてこれらの側壁保護膜の積層からなる厚い側壁保護膜を形成し、第3のステップでは、前記レジスト層に覆われた被エッチ材層部分を前記厚い側壁保護膜で保護しながら前記下地体の上面の一部に残った被エッチ材をエッチ除去することを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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