特許
J-GLOBAL ID:201103016910460452

半導体発光装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 杉村 憲司 ,  大倉 昭人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-119610
公開番号(公開出願番号):特開2011-249476
出願日: 2010年05月25日
公開日(公表日): 2011年12月08日
要約:
【課題】面発光型半導体素子から発せられた光の利用効率を向上できる半導体発光装置を提供する。【解決手段】面発光型半導体素子16と、面発光型半導体素子16を実装する基板12と、面発光型半導体素子16と基板12との間に充填され、面発光型半導体素子16から発せられる光を長波長の光に波長変換する第1の波長変換材料を含有するアンダーフィル樹脂18と、を備える。【選択図】図1
請求項(抜粋):
面発光型半導体素子と、 該面発光型半導体素子を実装する基板と、 前記面発光型半導体素子と前記基板との間に充填され、前記面発光型半導体素子から発せられる光を長波長の光に波長変換する第1の波長変換材料を含有するアンダーフィル樹脂と、 を備える半導体発光装置。
IPC (1件):
H01L 33/50
FI (1件):
H01L33/00 410
Fターム (10件):
5F041AA04 ,  5F041DA00 ,  5F041DA03 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA20 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041DA46 ,  5F041EE23

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