特許

J-GLOBAL ID：201103017187077730

半導体装置の製造方法

発明者： 佐々木 繁幸
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028657
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228389
特許番号：特許第3447602号
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体ウエハの素子形成面の反対面である裏面側に所定厚さのダイシング残部を残すように素子形成面からセミフルダイシングするセミフルダイシング工程と、該半導体ウエハの素子形成面上に耐化学エッチング性の保護層を形成する保護層形成工程と、素子形成面上に該保護層が形成された該半導体ウエハを裏面側から化学エッチングすることによって、該半導体ウエハの裏面の研磨と、該半導体ウエハを個片の半導体チップに分割するための該ダイシング残部の除去と、該セミフルダイシング工程で該半導体ウエハの切断面に生じた損傷領域の除去とを行う化学エッチング工程と、個片状態に分割された該半導体チップから該保護層を除去する保護層除去工程とを含み、上記保護層における半導体ウエハの貼り付けられている面の反対面における外延部には、耐化学エッチング性を有する保護層保持手段が該半導体ウエハの全周を囲むように配設されており、上記化学エッチング工程を、半導体ウエハに対してエッチング液を噴出することによって行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/301

FI (4件)：

H01L 21/306 C ,  H01L 21/306 K ,  H01L 21/78 S ,  H01L 21/78 P

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-270156
  
• 特開平1-186646
  
• 特開昭63-164336