特許

J-GLOBAL ID：201103017189327629

有機半導体薄膜作製材料、有機半導体薄膜構造体および有機半導体薄膜の作製方法

発明者： 中村 貴義 ,  芥川 智行
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 佐川 慎悟
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-276375
公開番号（公開出願番号）：特開2005-035952
特許番号：特許第4421232号
出願日： 2003年07月18日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 下記の一般式(I)で表される化合物とテトラシアノキノジメタン誘導体との電荷移動錯体を有効成分とする有機半導体薄膜作製材料。 〔式(I)において、R1は炭素数8〜20のアルキル鎖であり、nは0または1である。〕

IPC (3件)：

H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  C07D 519/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/368 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 29/28 ,  C07D 519/00 ,  H01L 21/368 L

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 有機半導体ドット作製材料、有機半導体ドット構造体および有機半導体ドットの作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-276273   出願人：独立行政法人科学技術振興機構
• 特開平3-004407
  
• 特開昭53-040773
  

引用文献：

出願人引用 (4件)

• 固体表面への分子ナノワイヤ構造の構築
• 種々のマクロサイクリックTTFとF4TCNQからなる電荷移動錯体LB膜の作製と構造評価
• Formation of oriented molecular nanowires on mica surface
• Preparation and properties of double-bridged BEDT-TTF dimer and its perchlorate salt