特許

J-GLOBAL ID：201103017272921605

多結晶層の製造方法

発明者： ショルツ,ミヒャエル ,  レヒナー,ローバート ,  シュトゥッツマン,マーティン
出願人/特許権者： ドリッテ・パテントポートフォリオ・ベタイリグンスゲゼルシャフト・エムベーハー・ウント・コンパニー・カーゲー
代理人 (1件)： 葛和 清司
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-512965
公開番号（公開出願番号）：特表2011-523791
出願日： 2009年06月09日
公開日（公表日）： 2011年08月18日
要約：

多結晶層の製造方法において、基材(1)上に一連の層を堆積し、前記一連の層は、非晶質初期層(4)、金属活性層(2)および初期層(4、10)と活性層(2、11)との間に堆積された中間層(3)を含む。中間層(3)をチタンをベースとして製造する。活性層(2)に位置する多結晶最終層を製造するために一連の層を熱処理する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

多結晶層の製造方法であって、

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L21/20 ,  H01L31/04 X

Fターム (17件)：

5F151AA03 ,  5F151CB04 ,  5F151CB24 ,  5F152AA06 ,  5F152BB09 ,  5F152CC02 ,  5F152CC08 ,  5F152CD17 ,  5F152CD18 ,  5F152CE03 ,  5F152CE06 ,  5F152CE12 ,  5F152CE16 ,  5F152CE25 ,  5F152DD09 ,  5F152FF21 ,  5F152FF26

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 多結晶シリコン薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-276584   出願人：株式会社豊田中央研究所

引用文献：

審査官引用 (3件)

• NUCLEATION AND GROWTH DURING THE FORMATION OF POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILMS
• MECHANISMS FOR SUCCESS OR FAILURE OF DIFFUSION BARRIERS BETWEEN ALUMINUM AND SILICON
• NUCLEATION AND GROWTH DURING THE FORMATION OF POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILMS