特許

J-GLOBAL ID：201103017329730275

半導体装置の製造方法

発明者： 眞鍋 和孝
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-270463
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093856
特許番号：特許第3527148号
出願日： 1999年09月24日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 所定の基板或いは半導体層の表面近傍に於ける所定の位置に、第1の導電性を有する第1の不純物を注入して少なくとも2つの第2の拡散層領域を形成した後、当該第2の拡散層領域上に形成した層間絶縁膜にコンタクト配線を形成するに際し、前記2つの第2の拡散層領域の内の一方の第2の拡散層領域に形成される当該コンタクト配線用の前記層間絶縁膜の第1開口部の断面積を、他方の第2の拡散層領域に形成される当該コンタクト配線用の第2開口部の断面積よりも大きくなる様に形成し、前記第2開口部を導電性部材で埋め込むと共に、前記第1開口部の表面に前記導電性部材の皮膜を形成することで、前記第1開口部の内部に空間部を形成し、当該空間部の底部を介して当該一方の第2の拡散層領域内に当該第1の導電性と同一の導電性を有する第1の不純物を更に注入して、前記第2の拡散層領域に於ける不純物濃度より高い不純物濃度を有する第1の拡散層領域を形成する事を特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 C ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 27/08 321 F

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-116924