特許
J-GLOBAL ID：201103017533682247
レーザアニール装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-228996
公開番号（公開出願番号）：特開平3-091925
特許番号：特許第2982183号
出願日： 1989年09月04日
公開日（公表日）： 1991年04月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】レーザビーム照射によりウェーハの表面層を加熱処理する装置であって、処理対象のウェーハを載置するテーブルと、レーザビームを出射するレーザと、該レーザからのレーザビームを反射させて光路を該テーブルの上のウェーハに向け、かつ、該ウェーハからの光を透過させる鏡と、該テーブルと該鏡との間に配置され、該鏡で反射したレーザビームを収束して、ウェーハ表面を照射するとともに、該ウェーハの上の像を結像させるレンズと、該レーザと該鏡の間に配置されており、一対のレンズとその間に設けられたピンホールとを備えた光束変換系とを有し、前記結像させた実像が、該ウェーハの表面の観察に用いられるとともに、該ウェーハに対するレーザビームの照射域の大きさが、該光束変換系の調整によって可変であることを特徴とするレーザアニール装置。
IPC (3件)：
H01L 21/268
, B23K 26/06
, H01L 21/20
H01L 21/268 J
, B23K 26/06 A
, H01L 21/20
, H01L 21/268 T
