特許
J-GLOBAL ID:201103017711462264

レーザ残膜の除去方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長門 侃二
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-138596
公開番号(公開出願番号):特開2000-332418
特許番号:特許第3228914号
出願日: 1999年05月19日
公開日(公表日): 2000年11月30日
請求項(抜粋):
【請求項1】 ビルドアップ工法で多層回路基板を製造する際に、下層の回路基板の上に形成されている絶縁層にレーザ照射して形成されたレーザバイアの中に残存しているレーザ残膜を除去する方法において、前記レーザバイアへの脱脂処理;前記脱脂処理後のレーザバイアに対する第1のエッチング処理;前記第1のエッチング処理後のレーザバイアに対する膨潤処理;前記膨潤処理後のレーザバイアに対する第2のエッチング処理;および、前記第2のエッチング処理後のレーザバイアに対する中和処理;を順次行うことを特徴とするレーザ残膜の除去方法。
IPC (5件):
H05K 3/46 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/00 330 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/26
FI (6件):
H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 X ,  B23K 26/00 H ,  B23K 26/00 330 ,  H05K 3/00 N ,  H05K 3/26 B
引用特許:
審査官引用 (2件)

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