特許

J-GLOBAL ID：201103017766116322

半導体素子およびその製造方法

発明者： 大鹿 嘉和 ,  松浦 哲也
出願人/特許権者： DOWAエレクトロニクス株式会社
代理人 (2件)： 杉村 憲司 ,  川原 敬祐
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-043947
公開番号（公開出願番号）：特開2011-205082
出願日： 2011年03月01日
公開日（公表日）： 2011年10月13日
要約：

【課題】バッファで改善された結晶性および平坦性を有効に機能積層体に引き継がせることにより、機能積層体の平坦性および結晶性を向上させた半導体素子をその製造方法とともに提供する。【解決手段】基板上に、バッファと、複数の窒化物半導体層を含む機能積層体とを具える半導体素子であって、前記機能積層体は、前記バッファ側にn型またはi型である第1のAlxGa1-xN層(0≦x<1)を有し、前記バッファと前記機能積層体との間に、前記第1のAlxGa1-xN層とAl組成が略等しいp型不純物を含むAlzGa1-zN調整層(x-0.05≦z≦x+0.05、0≦z<1)を具えることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、バッファと、複数の窒化物半導体層を含む機能積層体とを具える半導体素子であって、 前記機能積層体は、前記バッファ側にn型またはi型である第1のAlxGa1-xN層(0≦x<1)を有し、 前記バッファと前記機能積層体との間に、前記第1のAlxGa1-xN層とAl組成が略等しいp型不純物を含むAlzGa1-zN調整層(x-0.05≦z≦x+0.05、0≦z<1)を具えることを特徴とする半導体素子。

IPC (1件)：

H01L 33/32

FI (1件)：

H01L33/00 186

Fターム (5件)：

5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA65