特許
J-GLOBAL ID:201103018004465385
電力変換装置における偏磁低減回路
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
森田 雄一
, 山本 浩
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-222854
公開番号(公開出願番号):特開2003-037973
特許番号:特許第4352299号
出願日: 2001年07月24日
公開日(公表日): 2003年02月07日
請求項(抜粋):
【請求項1】 変圧器の一次側にフルブリッジ接続された半導体スイッチング素子を有する電力変換装置であって、一の上下アームのスイッチング素子のオン・オフ信号に対し他の上下アームのスイッチング素子のオン・オフ信号の位相をシフトさせてスイッチング制御するようにした電力変換装置において、
前記変圧器の偏磁量を検出する手段と、
検出した偏磁量が正であるときに、前記各スイッチング素子のオン・オフ信号を作成するために用いるキャリア波形と偏磁量とを比較して得た信号と一の上アームのスイッチング素子に対する元のオン信号との論理積によって得た信号を、当該スイッチング素子に対する最終的なオン信号として出力する手段と、
検出した偏磁量が負であるときに、前記キャリア波形と偏磁量とを比較して得た信号と一の下アームのスイッチング素子に対する元のオン信号との論理積によって得た信号を、当該スイッチング素子に対する最終的なオン信号として作成する手段と、
を備えたことを特徴とする、電力変換装置における偏磁低減回路。
IPC (3件):
H02M 3/28 ( 200 6.01)
, H02M 7/48 ( 200 7.01)
, H02M 7/537 ( 200 6.01)
FI (4件):
H02M 3/28 D
, H02M 3/28 P
, H02M 7/48 M
, H02M 7/537 D
引用特許:
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