特許

J-GLOBAL ID：201103018201636108

多層基板の製造方法

発明者： 松尾 耕三 ,  松尾 義 ,  高見 早千 ,  中野 常朝 ,  石川 誠治
出願人/特許権者： 東海電子工業株式会社 ,  有限会社エン・プラド
代理人 (1件)： 特許業務法人大貫小竹国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-142908
公開番号（公開出願番号）：特開2011-003567
出願日： 2009年06月16日
公開日（公表日）： 2011年01月06日
要約：

【課題】 本願発明は、絶縁層の表面を多孔状態にしてメッキとの密着性を向上させる多層基板の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本願発明に係る多層基板の製造方法は、基板上に絶縁層を配するとともに、その上に導電体層をめっき処理にて形成する多層基板の製造方法において、前記絶縁層を形成するために前記基板上に付与される絶縁材料に多孔形成剤を含有させるとともに、該絶縁層材料を加熱して絶縁層を形成する時に前記多孔形成剤により絶縁層の表面を多孔状態にして表面を粗面化し、その後絶縁層上に導電体層をめっき処理にて形成することにある。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

基板上に絶縁層を配するとともに、その上に導電体層をめっき処理にて形成する多層基板の製造方法において、 前記絶縁層を形成するために前記基板上に付与される絶縁材料に多孔形成剤を含有させるとともに、該絶縁層材料を加熱して絶縁層を形成する時に前記多孔形成剤により絶縁層の表面を多孔状態にして表面を粗面化し、その後絶縁層上に導電体層をめっき処理にて形成することを特徴とする多層基板の製造方法。

IPC (2件)：

H05K 3/18 ,  H05K 3/46

FI (3件)：

H05K3/18 K ,  H05K3/46 T ,  H05K3/46 B

Fターム (23件)：

5E343AA07 ,  5E343AA18 ,  5E343AA36 ,  5E343AA37 ,  5E343BB24 ,  5E343DD32 ,  5E343EE32 ,  5E343GG02 ,  5E343GG11 ,  5E346AA32 ,  5E346AA43 ,  5E346CC10 ,  5E346CC32 ,  5E346CC55 ,  5E346CC57 ,  5E346DD22 ,  5E346DD33 ,  5E346FF07 ,  5E346GG15 ,  5E346GG17 ,  5E346GG28 ,  5E346HH32 ,  5E346HH40