半導体センサ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平木道人 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-137883
公開番号（公開出願番号）：特開平3-003370
特許番号：特許第2748277号
出願日： 1989年05月31日
公開日（公表日）： 1991年01月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】支持体と、この支持体に固設されて物理的な外力が加わったときに変形する可変形部材と、この可変形部材が変形するときにストレスが生じる部分に設けられた半導体素子とを備え、前記半導体素子の電気的特性の変化により前記外力を検出する半導体センサにおいて、前記半導体素子は共通の可変形部材上に設けられた特性の異なる複数の電界効果トランジスタであって、そのうちの一つを他の出力信号の温度補償用に用いたことと、前記温度補償用の電界効果トランジスタの出力信号および前記他の電界効果トランジスタの出力信号の差分信号を出力する差分回路を具備したこととを特徴とする半導体センサ。

IPC (1件)：