特許

J-GLOBAL ID：201103018637656236

複合型半導体素子およびその製造方法

発明者： キム クワン スウ ,  チェ サン フン ,  キム イオファン ,  キム ボウ ,  イ ジンホ
出願人/特許権者： 財団法人韓国電子通信研究所 ,  韓国電気通信公社
代理人 (1件)： 谷 義一
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-073673
公開番号（公開出願番号）：特開平2-062072
出願日： 1989年03月24日
公開日（公表日）： 1990年03月01日
請求項（抜粋）：

【請求項1】Pウェル形成による酸化膜離隔後、ゲート酸化膜を成長させ、次いでバイポーラトランジスタのエミッタとコレクタおよびCMOSのソース/ドレインおよびエミッタとコレクタの役割をなすN+多結晶シリコンの両側面を多結晶シリコンによって電気的に絶縁させることにより、CMOSと多結晶ポリシリコン自己整合のバイポーラトランジスタとを一つのウェハ上に同時に集積する複合型半導体素子の製造方法において、窒化膜を蒸着後に異方性エッチングし、かつ酸化膜成長のためにシリコンを乾式エッチングすることにより非活性ベース領域の幅を可能な範囲で縮小し、次いでCMOS素子のベース酸化膜を成長後、すべての窒化膜を湿式エッチングし、バイポーラトランジスタのベース直列抵抗を減少させるための非活性ベース領域および各接合を形成した後、通常の接触マスクまたはアルミニウムの蒸着工程により完成されることを特徴とする複合型半導体素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/8249 ,  H01L 21/331 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/73

FI (2件)：

H01L 27/06 321 B 9170-4M ,  H01L 29/72