特許

J-GLOBAL ID：201103018641258725

有機電界発光素子の製造方法

発明者： 新井 康司 ,  栗屋 豊
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (3件)： 内藤 浩樹 ,  永野 大介 ,  藤井 兼太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-269736
公開番号（公開出願番号）：特開2011-113847
出願日： 2009年11月27日
公開日（公表日）： 2011年06月09日
要約：

【課題】発光効率が高く、量産性も高い有機EL素子の封止膜の製造方法を提供する。【解決手段】基板の上に画素電極を形成する画素電極形成工程と、前記画素電極の上に有機層を形成する有機層形成工程と、前記有機層の上に対向電極を形成する対向電極形成工程と、前記対向電極の上に封止膜を形成する封止膜形成工程と、を含み、前記封止膜形成工程は、金属酸化物または窒化物または酸窒化物を成膜する工程と金属を成膜する工程と、成膜した基板側に電界を印加することで酸素または窒素を含むガスで真空容器内でプラズマ放電する工程と、プラズマ放電により成膜した金属をエッチバックと酸化または窒化または酸窒化する工程と、を含むことで解決できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に画素電極、有機層、対向電極が順に形成される有機電界発光素子に対し、 前記対向電極の上に封止膜を形成する封止膜形成工程を含む方法において、 前記封止膜形成工程は、 金属酸化物,窒化物,酸窒化物の何れかを成膜する第1工程と 金属膜を成膜する第2工程とを有し、 酸素または窒素を含むガスで前記基板表面にプラズマ放電を起こし、前記プラズマ放電により成膜した金属膜をエッチバックする工程と、酸化,窒化,酸窒化の何れかを行う工程とを含むこと を特徴とする有機電界発光素子の製造方法。

IPC (3件)：

H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/04

FI (3件)：

H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/04

Fターム (12件)：

3K107AA01 ,  3K107CC04 ,  3K107CC23 ,  3K107CC45 ,  3K107EE47 ,  3K107EE48 ,  3K107EE50 ,  3K107FF16 ,  3K107GG02 ,  3K107GG05 ,  3K107GG21 ,  3K107GG28