特許

J-GLOBAL ID：201103018673552471

ウエーハスケールLSI

発明者： 平岩 克朗 ,  阿部 光夫
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-157917
公開番号（公開出願番号）：特開平3-022550
特許番号：特許第2697150号
出願日： 1989年06月20日
公開日（公表日）： 1991年01月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ウエーハ(4)上に形成された多数のチップエレメント(5)内に形成された各電源電極(6)と、独立に形成されたダミー電極(12)とを具え、隣接する該チップエレメント(5)の該電源電極(6)間を接続するボンディングワイヤ(7)が、該ワイヤ(7)の接続に先立つ特性試験で電源系に不良の検出された不良チップエレメントにおいて、該ダミー電極(12)に接続してなることを特徴とするウエーハスケールLSI。

IPC (4件)：

H01L 21/82 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (4件)：

H01L 21/82 R ,  H01L 21/60 301 A ,  H01L 21/60 301 N ,  H01L 27/04 E