特許

J-GLOBAL ID：201103019103760360

気相成長装置

発明者： 山口 晃
出願人/特許権者： 大陽日酸株式会社
代理人 (2件)： 木戸 一彦 ,  木戸 良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-090176
公開番号（公開出願番号）：特開2011-222739
出願日： 2010年04月09日
公開日（公表日）： 2011年11月04日
要約：

【課題】簡単な構造で基板温度を容易に調整することができる気相成長装置を提供する。【解決手段】サセプタ16の上面に形成した基板載置部21aに載置した基板20をサセプタ下方のヒータ14によって加熱する気相成長装置において、前記サセプタを、前記基板載置部を有する上部サセプタ部材21と、前記加熱手段によって加熱される下部サセプタ部材22とに分割形成して上部サセプタ部材の下面と下部サセプタ部材の上面との間に伝熱量調整用の空間部を形成するとともに、前記空間部の寸法を調節して下部サセプタ部材から上部サセプタ部材への伝熱量を調節する伝熱量調整部を備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

チャンバー内に回転可能に設けられた円盤状のサセプタと、該サセプタの上面に設けられた基板載置部と、前記チャンバー内に原料ガスを導入する原料ガス導入部と、前記チャンバーの反原料ガス導入部側に設けられた排気部と、前記基板載置部に載置された基板を前記サセプタの下面側から加熱する加熱手段とを備え、前記サセプタの回転に伴って前記基板を回転させるとともに、前記原料ガス導入部から原料ガスを導入して前記加熱手段により加熱された基板の上面に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、前記サセプタは、前記基板載置部を有する上部サセプタ部材と、前記加熱手段によって加熱される下部サセプタ部材と、前記上部サセプタ部材の下面と前記下部サセプタ部材の上面との間に形成される空間部の寸法を調節して下部サセプタ部材から上部サセプタ部材への伝熱量を調節する伝熱量調整部とを備えていることを特徴とする気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/46

FI (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/46

Fターム (24件)：

4K030EA06 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030GA06 ,  4K030KA23 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC18 ,  5F045BB03 ,  5F045CA09 ,  5F045DP15 ,  5F045DP27 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB02 ,  5F045EF02 ,  5F045EK07 ,  5F045EK21 ,  5F045EK24 ,  5F045EM02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-066458   出願人：大陽日酸株式会社
• 特開昭62-042416
  
• 半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-274851   出願人：沖電気工業株式会社