特許
J-GLOBAL ID：201103019369727466
半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小島 隆司
, 西川 裕子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-340526
公開番号（公開出願番号）：特開2003-138101
特許番号：特許第3824063号
出願日： 2001年11月06日
公開日（公表日）： 2003年05月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 (A)エポキシ樹脂
(B)硬化剤
(C)無機質充填剤
(D)下記平均組成式(1)で表されるオルガノポリシロキサン
R1mR2nSi(OR3)p(OH)qO(4-m-n-p-q)/2 ...(1)
(但し、R1はフェニル基、R2は炭素数1〜6の一価炭化水素基又は水素原子、R3は炭素数1〜4の一価炭化水素基を表し、m,n,p,qは、0≦m≦2.0、0≦n≦1.0、0≦p≦2.5、0≦q≦0.35、0.92≦m+n+p+q≦2.8を満足する数である。)
(E)下記平均組成式(2)で示されるホスファゼン化合物
[但し、Xは単結合、又はCH2、C(CH3)2、SO2、S、O及びO(CO)Oから選ばれる基であり、YはOH、SH又はNH2であり、R4は炭素数1〜4のアルキル基及びアルコキシ基、NH2、NR5R6並びにSR7から選ばれる基であり、R5,R6,R7は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基である。d,e,f,nは、0≦d≦0.25n、0≦e<2n、0≦f≦2n、2d+e+f=2n、3≦n≦1000を満足する数である。]
を必須成分とし、臭素化物及びアンチモン化合物を含まないことを特徴とする半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物。
IPC (5件)：
C08L 63/00 ( 200 6.01)
, C08K 5/5419 ( 200 6.01)
, C08K 5/5399 ( 200 6.01)
, H01L 23/29 ( 200 6.01)
, H01L 23/31 ( 200 6.01)
C08L 63/00 C
, C08K 5/541
, C08K 5/539
, H01L 23/30 R
