特許
J-GLOBAL ID:201103019488522279

マスク欠陥検査装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西脇 民雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-193010
公開番号(公開出願番号):特開2011-017714
出願日: 2010年08月31日
公開日(公表日): 2011年01月27日
要約:
【課題】照明光の短波長化にもかかわらずかつマスクのパターンの膜厚が厚くなってもマスクの欠陥検査を一度に行うことができかつその欠陥の種類の識別も容易に行うことができる。【解決手段】マスク4のパターン形成面と反対の面の側から互いに異なる第1及び第2の領域に同時に光を照明する照明光学系2と、第1の領域を透過した光を取り込む第1の検出センサ19と、第2の領域を透過した光を取り込む第2の検出センサ17と、第1の領域を透過した光を第1の検出センサに結像する第1の検出光学系16と、第2の領域を透過した光を第2の検出センサに結像する第2の検出光学系15と、第1の領域から透過した光を反射して第1の検出光学系16に導く反射ミラー21と、検出光学系15、16に得られるパターン像との合焦関係をマスクの膜厚に応じてそれぞれ変更する合焦制御機構23、24がそれぞれ設けられる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体の製造に使用されるフォトマスクやガラスウエハの試料に形成されたパターンを有するマスクの欠陥を検査するマスク欠陥検査装置であって、 前記マスクのパターン形成面と反対の面の側から前記パターン形成面の互いに異なる第1及び第2の領域に同時に光を照明する照明光学系と、 前記第1の領域を透過した光を取り込む第1の検出センサと、 前記第2の領域を透過した光を取り込む第2の検出センサと、 前記第1の領域を透過した光を前記第1の検出センサに結像する第1の検出光学系と、 前記第2の領域を透過した光を前記第2の検出センサに結像する第2の検出光学系と、 前記パターン形成面と前記第1及び前記第2の検出センサとの間の前記パターン形成面の結像面近傍に設けられ、前記第1の領域から透過した光を反射して前記第1の検出光学系に導く反射ミラーと、 前記第1の検出光学系内に設置され、前記パターン形成面と前記第1の検出センサにより得られるパターン像との合焦関係を前記マスクの膜厚に応じて変更する第1の合焦レンズと、 前記第2の検出光学系内に設置され、前記パターン形成面と前記第2の検出センサにより得られるパターン像との合焦関係を前記マスクの膜厚に応じて変更する第2の合焦レンズと、 を備えることを特徴とするマスク欠陥検査装置。
IPC (2件):
G01N 21/956 ,  G03F 1/08
FI (2件):
G01N21/956 A ,  G03F1/08 S
Fターム (15件):
2G051AA56 ,  2G051AB02 ,  2G051BA05 ,  2G051BA10 ,  2G051BB09 ,  2G051CA03 ,  2G051CB02 ,  2G051CD02 ,  2G051CD10 ,  2G051ED11 ,  2H095BD04 ,  2H095BD05 ,  2H095BD13 ,  2H095BD15 ,  2H095BD19
引用特許:
審査官引用 (11件)
  • フォトマスクの欠陥検査方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-169117   出願人:レーザーテック株式会社
  • マスク検査装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-168831   出願人:株式会社東芝
  • 特開昭62-153737
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