特許
J-GLOBAL ID:201103019738553132
ケイ素原子含有含窒素複素環化合物の合成方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
志賀 正武
, 棚井 澄雄
, 高橋 詔男
, 五十嵐 光永
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-053142
公開番号(公開出願番号):特開2011-207876
出願日: 2011年03月10日
公開日(公表日): 2011年10月20日
要約:
【課題】含窒素複素環化合物の複素環を構成する窒素原子に、ケイ素原子含有基を導入するに際し、簡便な工程で行うことができ、副生成物の量を抑制できる実用的な方法の提供。【解決手段】複素環を構成すると共に水素原子と結合している窒素原子を含む含窒素複素環化合物と、下記一般式(2)で表されるケイ素原子含有化合物とを、亜鉛触媒存在下で反応させて、該ケイ素原子含有化合物中の水素原子と結合しているケイ素原子と、前記含窒素複素環化合物中の水素原子と結合している窒素原子とを結合させ、脱水素させることにより、前記含窒素複素環化合物の前記窒素原子にケイ素原子含有基を導入することを特徴とするケイ素原子含有含窒素複素環化合物の合成方法。[化1]【選択図】なし
請求項(抜粋):
複素環を構成すると共に水素原子と結合している窒素原子を含む含窒素複素環化合物と、下記一般式(2)で表されるケイ素原子含有化合物とを、亜鉛触媒存在下で反応させて、該ケイ素原子含有化合物中の水素原子と結合しているケイ素原子と、前記含窒素複素環化合物中の水素原子と結合している窒素原子とを結合させ、脱水素させることにより、前記含窒素複素環化合物の前記窒素原子にケイ素原子含有基を導入することを特徴とするケイ素原子含有含窒素複素環化合物の合成方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (11件):
4H039CA92
, 4H039CC20
, 4H049VN01
, 4H049VP01
, 4H049VQ59
, 4H049VQ60
, 4H049VR23
, 4H049VR51
, 4H049VS07
, 4H049VT06
, 4H049VT49
前のページに戻る