特許
J-GLOBAL ID：201103019780608265
シリサイド膜製造工程の評価試験装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
三枝 英二
, 掛樋 悠路
, 松本 公雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-373672
公開番号（公開出願番号）：特開2001-338962
特許番号：特許第4514320号
出願日： 2000年12月08日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 アクティブ領域とフィールド領域とから成るシリコン基板と、
前記フィールド領域上に形成されたポリサイド層の交叉抵抗パターンから成る第1パターンと、
前記アクティブ領域上に形成されたポリサイド層及びシリサイド層から成る第2パターンと、を備え、
前記第1パターンは、
同じ幅で互いに直交するように形成された2つのポリサイド層パターンと、
前記2つのポリサイド層パターンのうちの一方のポリサイド層パターンの両端にそれぞれ連結された第1電流接触パッド及び第1電圧接触パッドと、
前記2つのポリサイド層パターンのうちの他方のポリサイド層パターンの両端にそれぞれ連結された第2電流接触パッド及び第2電圧接触パッドと、から構成され、
前記第2パターンは、
前記アクティブ領域に形成された絶縁膜上に所定間隔を置いて、平行に延長形成された第1ポリサイド層パターン及び第2ポリサイド層パターンから成る一対のポリサイド層パターンと、
前記第1ポリサイド層パターンの両端にそれぞれ連結された第3及び第4電流接触パッドと、
前記第3及び第4電流接触パッド間の前記第1ポリサイド層パターンに連結された第3及び第4電圧接触パッドと、
前記第2ポリサイド層パターンの両端にそれぞれ連結された第5及び第6電流接触パッドと、
前記第5及び第6電流接触パッド間の前記第2ポリサイド層パターンに連結された第5及び第6電圧接触パッドと、
前記第1ポリサイド層パターンと第2ポリサイド層パターン間に形成されたシリサイド層パターンと、
該シリサイド層パターンの両端にそれぞれ電気的に連結された第7及び第8電流接触パッド並びに第7及び第8電圧接触パッドと、から構成され、
前記第1〜前記第8電流接触パッドのそれぞれは、電流を流すためのパッドであり、
前記第1〜前記第8電圧接触パッドのそれぞれは、電圧を測定するためのパッドであることを特徴とするシリサイド膜製造工程の評価試験装置。
IPC (3件)：
H01L 21/66 ( 200 6.01)
, H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 23/52 ( 200 6.01)
H01L 21/66 E
, H01L 21/88 S
