特許
J-GLOBAL ID：201103019847750754
Ni電極層の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
眞鍋 潔
, 柏谷 昭司
, 渡邊 弘一
, 伊藤 壽郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-284060
公開番号（公開出願番号）：特開2001-107254
特許番号：特許第4196314号
出願日： 1999年10月05日
公開日（公表日）： 2001年04月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】電子回路素子の入出力端子用電極の表面に無電解メッキ法を用いて無電解Niメッキ膜を析出させるNi電極層の形成方法において、前記入出力端子用電極の表面をエッチング処理したのち、Ni置換処理を行って前記入出力端子用電極の表面にNi置換膜を形成し、次いで、無電解Niメッキ浴中で、少なくとも反応開始初期においてダミー金属板を浸漬した状態で、前記入出力端子用電極の表面に無電解Niメッキ膜を析出させることを特徴とするNi電極層の形成方法。
IPC (3件)：
C23C 18/18 ( 200 6.01)
, C23C 18/36 ( 200 6.01)
, H01L 21/60 ( 200 6.01)
C23C 18/18
, C23C 18/36
, H01L 21/92 604 M
