特許
J-GLOBAL ID：201103020007738239
半導体装置、半導体装置の製造方法、およびパッケージの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
特許業務法人原謙三国際特許事務所
, 原 謙三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-334931
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156120
特許番号：特許第3998878号
出願日： 1999年11月25日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体素子と、上記半導体素子の接続端子および外部と接続されるための金属パターンとを備える半導体装置において、
上記半導体素子が接続される面とは反対側の面に該金属パターンの全領域が露出しており、
上記金属パターンと該金属パターンに積層され、該金属パターンを電気的、外的に保護するための保護層とのみから構成されている領域を有しており、
上記半導体素子は、フェイスダウン方式のバンプにより上記金属パターンに接続されており、
上記保護層は、上記半導体素子以外の金属パターンの領域にコーティングされていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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