特許

J-GLOBAL ID：201103020131413127

マスクブランクス、パターン形成方法及びモールドの製造方法

発明者： 中塚 栄 ,  佐藤 孝 ,  谷口 和丈
出願人/特許権者： HOYA株式会社
代理人 (5件)： 阿仁屋 節雄 ,  油井 透 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩 ,  奥山 知洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-079290
公開番号（公開出願番号）：特開2011-211083
出願日： 2010年03月30日
公開日（公表日）： 2011年10月20日
要約：

【課題】エッチングを利用してパターン形成を行う場合に、形成すべき微細パターンの狭ピッチ化が進展しても、当該パターン形成を高精度に行えるようにする。【解決手段】基板2上にハードマスク層3を有するマスクブランクス1において、前記ハードマスク層1は、前記基板2の側から第一層5と第二層6とが配される積層構造を有する。前記第一層5は、前記基板2に対してエッチングを行う際にマスクとなる層である。前記第二層6は、前記第一層5に対してエッチングを行う際にマスクとなるとともに、前記ハードマスク層3上に形成されるレジストパターン4をマスクにしてエッチングが行われる層である。そして、前記第一層5に対するエッチングの間は前記第二層6が当該第一層5のマスクとして機能するエッチング選択比を有した材料によって、当該第二層6を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上にハードマスク層を有するマスクブランクスにおいて、 前記ハードマスク層は、前記基板の側から第一層と第二層とが配される積層構造を有しており、 前記第一層は、前記基板に対してエッチングを行う際に当該第一層自体が有するパターンを当該基板に転写するためのマスクとなる層であり、 前記第二層は、前記第一層に対してエッチングを行う際に当該第二層自体が有するパターンを当該第一層に転写するためのマスクとなるとともに、前記ハードマスク層上に形成されるレジストパターンをマスクにしてエッチングが行われる層であり、 前記第一層に対するエッチングの間は前記第二層が当該第一層のマスクとして機能するエッチング選択比を有した材料によって当該第二層が形成されている ことを特徴とするマスクブランクス。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  B29C 59/02 ,  B29C 33/38 ,  G11B 5/855

FI (5件)：

H01L21/30 502D ,  G03F1/08 G ,  B29C59/02 B ,  B29C33/38 ,  G11B5/855

Fターム (33件)：

2H095BA12 ,  2H095BB15 ,  2H095BC05 ,  2H095BC11 ,  2H095BC26 ,  4F202AG05 ,  4F202AJ02 ,  4F202AJ06 ,  4F202AJ09 ,  4F202CA21 ,  4F202CA30 ,  4F202CB01 ,  4F202CD02 ,  4F202CD12 ,  4F209AA44 ,  4F209AF01 ,  4F209AG05 ,  4F209AH33 ,  4F209AH73 ,  4F209AJ08 ,  4F209AJ09 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PN06 ,  4F209PN09 ,  4F209PQ11 ,  5D112AA05 ,  5D112AA19 ,  5D112AA20 ,  5D112AA24 ,  5D112GA00 ,  5F046AA28 ,  5F146AA28