特許

J-GLOBAL ID：201103020225281127

半導体デバイスの製造方法

発明者： レーンデルト・デ・ブルイン ,  ヨセフス・マルティヌス・フランシスカス・ゲラルドゥス・ファン・ラールホーベン
出願人/特許権者： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
代理人 (1件)： 沢田 雅男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-040135
公開番号（公開出願番号）：特開平1-261828
特許番号：特許第2739228号
出願日： 1989年02月20日
公開日（公表日）： 1989年10月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】3段以上のレベルを有し、かつ所定高さレベルで実質上平坦な自由上側表面(誘電体層の新自由上側表面と呼ぶ)を有するシリカガラスのベース上に誘電体層で覆われている半導体デバイスを製造する方法であって、その方法が、当該半導体デバイスを、最初は3段以上の高さレベル(上側高さレベル、下側高さレベル、当該上側高さレベルと当該下側高さレベルとの間に存在しかつ当該半導体デバイスの全表面領域の主要部分を占めるある高さレベル(メイン高さレベルと呼ぶ))を有する当初上側表面を示す当該誘電体層で覆う工程と、前記誘電体層の当該当初上側表面上に、当該誘電体層を全面的に覆い、かつ適切な処理により得られる実質上平坦な上側表面を有する樹脂層を形成する工程と、当該樹脂層と誘電体層とに対してプラズマエッチングを行い、常に前記プラズマエッチングに対し、前記プラズマエッチングの深さを示す当該プラズマが発生させるCO放出ライン強度を常に検出するプラズマエッチング工程とを有し、このプラズマエッチング工程が、この第一工程の間に前記樹脂層と前記誘電体層とのエッチングレートが実質上等しくなるようにフルオロカーボン成分に対する酸素の第一相対量を含むプラズマガスを供給することにより、前記樹脂層と前記誘電体層とを当該メイン高さレベルまでプラズマエッチングする第一工程と、当該CO放出ライン強度が、当該メイン高さレベルに到達した時点でエッチングされた誘電体と樹脂材料との当該比による実質上のOとCイオンの放出により生成される急峻なピークを示す時点で、プラズマエッチングの第一工程を中断し、そして当該メイン高さレベルに到達した後、当該主要部分にある前記誘電体層表面から、プラズマエッチングに供給される前記プラズマガス内の酸素の第二相対量に対応するある量の酸素が供給されるという事を考慮することによって決定される酸素の第二相対量を供給する様にプラズマガス供給条件を変更する工程と、当該メイン高さレベルから前記誘電体層の当該新自由上側表面レベルまで、この第二工程の間に前記樹脂層と誘電体層とのエッチング比を実質上等しくするように当該補正された供給プラズマガスを使用してプラズマエッチングを行う第二工程とを有している半導体デバイスの製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/3065

FI (1件)：

H01L 21/302 M

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-090934
  
• 特開昭59-125629
  
• 特開昭62-067825