特許
J-GLOBAL ID：201103020241114869
透明導電膜付き基材及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-064733
公開番号（公開出願番号）：特開2011-198642
出願日： 2010年03月19日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：
【課題】表面の平滑性による問題が生じることを防ぐことができ、しかも金属ナノワイヤの含有量を多くする必要なく、導電性を高めることができる透明導電膜付き基材を提供する。【解決手段】透明基材1の上に、金属ナノワイヤ2を含む透明塗膜3からなる透明導電膜4が設けられた透明導電膜付き基材に関する。透明基材1と透明導電膜4の間に透明樹脂6からなる中間層5が形成されており、透明導電膜4の表面は表面粗さRaが10nm以下の平滑面に形成されている。そして透明導電膜4の表面は、加圧によって平滑面に形成されていると共に、中間層5を形成する透明樹脂6は、透明導電膜4の表面を加圧する際に可塑性を呈する樹脂であることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透明基材の上に、金属ナノワイヤを含む透明塗膜からなる透明導電膜が設けられた透明導電膜付き基材であって、透明基材と透明導電膜の間に透明樹脂からなる中間層が形成されており、透明導電膜の表面は表面粗さRaが10nm以下の平滑面に形成されていることを特徴とする透明導電膜付き基材。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01B5/14 A
, H01B13/00 503B
5G307FA01
, 5G307FA02
, 5G307FB02
, 5G307FC09
, 5G323BA01
, 5G323BB02
