特許
J-GLOBAL ID:201103020456793295
半導体材料およびその製造方法並びに半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
片山 修平
, 横山 照夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-041036
公開番号(公開出願番号):特開2011-173777
出願日: 2010年02月25日
公開日(公表日): 2011年09月08日
要約:
【課題】抵抗値が低い半導体材料およびその製造方法並びに半導体装置を提供すること。【解決手段】本発明は、LiおよびMgを含み、脱水処理され、表面15に酸素が吸着したヘクトライト12を有する半導体材料である。また、LiおよびMgを含むヘクトライト12を脱水処理する工程と、前記ヘクトライト12の表面15に酸素を吸着させる工程と、を含む半導体材料の製造方法である。さらに、上記半導体材料を含む半導体装置である。【選択図】図2
請求項(抜粋):
LiおよびMgを含み、脱水処理され、表面に酸素が吸着したヘクトライトを有することを特徴とする半導体材料。
IPC (3件):
C01B 33/40
, H01L 21/28
, H01L 29/861
FI (3件):
C01B33/40
, H01L21/28 301B
, H01L29/91 F
Fターム (9件):
4G073BA03
, 4G073BA10
, 4G073BA17
, 4G073BA21
, 4G073CM20
, 4G073UB60
, 4M104AA03
, 4M104BB09
, 4M104GG02
引用特許: