特許
J-GLOBAL ID:201103020591816777
プラズマ発生源及びプラズマ発生装置並びに成膜装置、エッチング装置、アッシング装置、表面処理装置
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
清原 義博
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-298964
公開番号(公開出願番号):特開2011-138712
出願日: 2009年12月28日
公開日(公表日): 2011年07月14日
要約:
【課題】 均一で高密度且つ大面積のプラズマを安定的に生成することが可能であるプラズマ発生源及びプラズマ発生装置、並びにこのプラズマ発生装置を利用した成膜装置、エッチング装置、アッシング装置、表面処理装置を提供すること。【解決手段】 絶縁体上方に配置された電極及び磁石と、前記電極に接続された交流電源を備えており、前記電極は、対向配置された一対の櫛型状電極からなり、前記一対の櫛型状電極は、櫛歯状部が互いに平行に且つ交互に配置され、該櫛歯状部間に前記磁石が配置されており、前記電極からの電界と前記磁石からの磁界によりプラズマ生成用ガスをプラズマ化することを特徴とする磁場付容量結合プラズマ発生源とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
絶縁体上方に配置された電極及び磁石と、前記電極に接続された交流電源を備えており、
前記電極は、対向配置された一対の櫛型状電極からなり、
前記一対の櫛型状電極は、櫛歯状部が互いに平行に且つ交互に配置され、該櫛歯状部間に前記磁石が配置されており、
前記電極からの電界と前記磁石からの磁界によりプラズマ生成用ガスをプラズマ化することを特徴とする磁場付容量結合プラズマ発生源。
IPC (6件):
H05H 1/46
, H01L 21/205
, H01L 21/31
, H01L 21/306
, C23C 16/503
, H01L 21/304
FI (6件):
H05H1/46 M
, H01L21/205
, H01L21/31 C
, H01L21/302 101B
, C23C16/503
, H01L21/304 645C
Fターム (50件):
4K030AA11
, 4K030AA24
, 4K030BA44
, 4K030FA03
, 4K030JA15
, 4K030KA15
, 4K030KA30
, 4K030KA34
, 4K030LA02
, 4K030LA18
, 5F004AA01
, 5F004AA16
, 5F004BA13
, 5F004BB07
, 5F004BB13
, 5F004BB18
, 5F004BD01
, 5F004BD04
, 5F004DA00
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F045AA08
, 5F045AC02
, 5F045AC05
, 5F045AC11
, 5F045AC15
, 5F045DP03
, 5F045EF05
, 5F045EH13
, 5F045EH16
, 5F157AA28
, 5F157AA64
, 5F157AB33
, 5F157AB82
, 5F157AC12
, 5F157BG32
, 5F157BG33
, 5F157BG34
, 5F157BG35
, 5F157BG36
, 5F157BG37
, 5F157BH01
, 5F157CF62
, 5F157DA21
, 5F157DB02
, 5F157DB14
, 5F157DB37
, 5F157DB43
, 5F157DC11
, 5F157DC51
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