特許

J-GLOBAL ID：201103020735611580

不揮発性磁気メモリ・セルおよび装置

発明者： アルナヴァ・グプタ ,  ラジヴィ・ヴイ・ジョシ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-198532
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082791
特許番号：特許第3533344号
出願日： 1999年07月13日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第一の強磁性層と、第二の強磁性層と、前記第一および第二の強磁性層の間に介挿された絶縁層と、第一の方向に並べられ、前記第一の強磁性層に絶縁層を介して接続する第一の導体セグメントと、前記第一の方向に対して実質的に直交する第二の方向に並べられ、前記第二の強磁性層に絶縁層を介して接続する第二の導体セグメントとを含む導体と、前記第一および第二の導体セグメントを終端させ、前記導体への印加電位に応じて、双方向電流を前記導体中に生じさせる回路構造と、を含むことを特徴とする磁気トンネル接合セル。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/15 100 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

G11C 11/15 100 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭57-071171
  
• 特開昭57-071171
  
• 特開昭63-164261
  
• 特開昭63-164261