特許
J-GLOBAL ID：201103021031209367
シリサイド化素子を形成する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-049168
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031091
特許番号：特許第3866874号
出願日： 1999年02月25日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 表層シリコン膜を有する基板に素子分離領域を形成する工程と、
該素子分離領域によって分離された領域に、前記表層シリコン膜によってシリコン領域を形成する工程と、
前記シリコン領域の中央部上に酸化物層を介してゲートポリシリコン領域を形成する工程と、
前記ゲートポリシリコン領域の両側の側壁に酸化物層をそれぞれ形成する工程と、
前記ゲートポリシリコン領域が設けられていない前記シリコン領域の側部にイオンを注入する工程と、
前記シリコン領域および前記ゲートシリコン領域および前記酸化物層を覆うように、前記基板全体に、ポリシリコン層を堆積する工程と、
前記酸化物層の両側に、前記ポリシリコン層を介して絶縁領域をそれぞれ設ける工程と、
前記絶縁領域と前記ポリシリコン層との上全体に、Ni、Co、TiおよびPtからなる高融点金属の群から選択される高融点金属の層を堆積する工程と、
前記高融点金属と前記ポリシリコン層とを反応させてシリサイド層を形成する工程と、
その後に、未反応の前記高融点金属を除去する工程と、
その後に、前記絶縁領域および前記ポリシリコン層を除去する工程と、
その後に、前記基板全体を酸化物層で覆って、該酸化物層の所定の領域に形成された孔に金属を堆積する工程と、
を包含するシリサイド化素子を形成する方法。
IPC (5件)：
H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/8238 ( 200 6.01)
, H01L 27/092 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
H01L 21/28 301 S
, H01L 27/08 321 F
, H01L 29/78 616 J
