特許
J-GLOBAL ID：201103021134147653
インプリント用モールドの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
阿仁屋 節雄
, 油井 透
, 清野 仁
, 福岡 昌浩
, 奥山 知洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-227657
公開番号（公開出願番号）：特開2011-073304
出願日： 2009年09月30日
公開日（公表日）： 2011年04月14日
要約：
【課題】ハードマスク層に対するドライエッチングの進行をスムーズに行うことができ、高いパターン精度で微細パターンを形成するインプリント用モールドの製造方法を提供する。【解決手段】基板1への溝形成部分以外の部分のハードマスク層を除去する残存ハードマスク層除去工程を有し、前記残存ハードマスク層除去工程は、基板の一部に一次レジスト層51を形成する工程と、前記一次レジスト層形成部分以外の部分のハードマスク層に対してドライエッチングを行い除去する工程と、前記一次レジスト層を除去する工程と、前記基板上における、前記一次レジスト層が形成されていた部分以外の少なくとも一部に二次レジスト層52を形成する工程と、前記一次レジスト層が形成されていた部分のハードマスク層に対してドライエッチングを行い除去する工程と、前記二次レジスト層を除去する工程と、を有することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
溝により形成されるパターンを有する基板上の少なくとも一部に、Taを主成分とする化合物またはHfとZrの少なくとも一方の元素もしくはその化合物を含む材料からなる導電層と、前記導電層の上部に設けられた導電層用の酸化防止層と、を含むハードマスク層が形成された残存ハードマスク層除去前モールドからインプリント用モールドを製造するために前記ハードマスク層を除去する工程が、
前記基板の一部に一次レジスト層を形成する工程と、
前記一次レジスト層形成部分以外の部分のハードマスク層に対してドライエッチングを行う工程と、
前記一次レジスト層を除去する工程と、
前記基板上における、前記一次レジスト層が形成されていた部分以外の少なくとも一部に二次レジスト層を形成する工程と、
前記一次レジスト層が形成されていた部分のハードマスク層に対してドライエッチングを行う工程と、
前記二次レジスト層を除去する工程と、
を有することを特徴とするインプリント用モールドの製造方法。
ただし、前記ドライエッチングは、エッチング装置内の酸素含有量が5%以下となる程度に酸素を含まないエッチングガスを用いた処理である。
IPC (2件)：
FI (2件)：
B29C33/38
, H01L21/30 502D
4F202AA36
, 4F202AH38
, 4F202AJ06
, 4F202AJ09
, 4F202AR12
, 4F202CA19
, 4F202CB01
, 4F202CD02
, 4F202CD23
, 5F046AA28
, 5F146AA28
