電界効果テラヘルツ電磁波発生素子

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-330859
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148502
特許番号：特許第3243510号
出願日： 1999年11月22日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体バルク基板面に平行な横方向電界を半導体バルクに印加した構造に、超短光パルスレーザの光を素子表面垂直方向に対して角度θ(θ=0度〜360度)の方向から照射して半導体バルク中にキャリアを発生させ、基板に対して横方向に電界を印加することによってキャリアを加速することを利用してテラヘルツ電磁波を発生することを特徴とする電界効果テラヘルツ電磁波発生素子

IPC (1件)：