特許

J-GLOBAL ID：201103021437633089

半導体装置

発明者： 東田 祥史 ,  高石 昌
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-103274
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294778
特許番号：特許第3869580号
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】電極間に印加される一定電圧以上の入力をブレークダウンさせる保護ダイオードが前記電極間に設けられる半導体装置であって、前記電極の1つの電極パッドを形成するポリシリコン膜の外周部にリング状のp形層とn形層とが交互に設けられることにより形成される第1の保護ダイオード部と、チップの外周部の表面にポリシリコン膜によりリング状のp形層とn形層とが交互に設けられることにより形成される第2の保護ダイオード部とが直列に接続されてなる半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/739 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 29/78 657 B ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 655 A