特許
J-GLOBAL ID:201103021593410898
光電変換素子、受光装置、受光システム及び測距装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
千葉 剛宏
, 宮寺 利幸
, 大内 秀治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-233671
公開番号(公開出願番号):特開2011-082358
出願日: 2009年10月07日
公開日(公表日): 2011年04月21日
要約:
【課題】光電変換によって得られた光電子を所望の領域に高速に移動させ、集積させるようにして、測距装置や受光システム等を実現できるようにする。【解決手段】光を検知して光電子に変換する第1光電変換素子10Aは、半導体基体12上に絶縁体を介して形成された電極16を有する1つのMOSダイオード18と、半導体基体12に形成された複数の埋め込みフォトダイオードBPDとを有する。MOSダイオード18の電極16は、上面から見たとき、1つの電極部位20から複数の枝分かれ部位22に分岐配列されたくし歯形状を有し、複数の埋め込みフォトダイオードBPDは、上面から見たとき、電極16における複数の枝分かれ部位22間にそれぞれ入れ子状に配置されている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
光を検知して光電子に変換する光電変換素子において、
半導体基体上に絶縁体を介して形成された電極を有する1つのMOSダイオードと、
前記半導体基体に形成された複数の埋め込みフォトダイオードとを有し、
前記MOSダイオードの前記電極は、上面から見たとき、1つの電極部位から複数の枝分かれ部位に分岐配列されたくし歯形状を有し、
複数の前記埋め込みフォトダイオードは、上面から見たとき、前記電極における前記複数の枝分かれ部位間にそれぞれ入れ子状に配置されていることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L31/10 A
, G01B11/00 B
, H01L31/10 Z
Fターム (16件):
2F065AA06
, 2F065DD04
, 2F065DD12
, 2F065FF04
, 2F065FF12
, 2F065JJ03
, 2F065JJ26
, 2F065NN08
, 2F065NN12
, 2F065QQ03
, 2F065QQ47
, 5F049MA02
, 5F049NA03
, 5F049NB07
, 5F049SZ20
, 5F049UA07
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