特許
J-GLOBAL ID：201103021636997391
シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法および評価方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
荒船 良男
, 荒船 博司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-165163
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359200
特許番号：特許第3664101号
出願日： 2001年05月31日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】原料ガスを供給しながらシリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を水素雰囲気中で気相成長させる成膜工程と、該成膜工程により前記シリコン単結晶薄膜が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハを冷却中に、該シリコンエピタキシャルウェーハの存在雰囲気を400°Cより高温で水素雰囲気から窒素雰囲気に切換える冷却工程と、をこの順に行うことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C30B 25/02
, C30B 29/06
, H01L 21/66
H01L 21/205
, C30B 25/02 Z
, C30B 29/06 504 D
, H01L 21/66 N
