特許

J-GLOBAL ID：201103021639714340

薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにその薄膜トランジスタを備えた装置

発明者： 高田 真宏 ,  小野 雅司 ,  鈴木 真之 ,  田中 淳
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (2件)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-280217
公開番号（公開出願番号）：特開2011-124360
出願日： 2009年12月10日
公開日（公表日）： 2011年06月23日
要約：

【課題】低温での作製が可能で、かつチャネル層において電子移動度の高い薄膜トランジスタを得る。【解決手段】酸化物半導体層を備えた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層12が、膜厚方向に井戸型ポテンシャルを構成する、井戸型ポテンシャルの井戸部となる第1の電子親和力χ1を有する第1の領域A1と、第1の領域A1よりもゲート電極16に近い側に配置された、第1の電子親和力χ1よりも小さい第2の電子親和力χ2を有する第2の領域A2と、第1の領域A1よりもゲート電極16から離れた側に配置された、第1の電子親和力χ1よりも小さい第3の電子親和力χ3を有する第3の領域A3とを含むものとし、少なくとも第3の領域A3の酸素濃度を第1の領域A1の酸素濃度より低いものとする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上に、酸化物半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタであって、 前記酸化物半導体層が、膜厚方向に井戸型ポテンシャルを構成する、該井戸型ポテンシャルの井戸部となる第1の電子親和力を有する第1の領域と、該第1の領域よりも前記ゲート電極に近い側に配置された、前記第1の電子親和力よりも小さい第2の電子親和力を有する第2の領域と、前記第1の領域よりも前記ゲート電極から離れた側に配置された、前記第1の電子親和力よりも小さい第3の電子親和力を有する第3の領域とを含み、 少なくとも前記第3の領域の酸素濃度が前記第1の領域の酸素濃度より低いことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/146 ,  H01L 21/363

FI (6件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 618A ,  H01L27/14 C ,  H01L21/363 ,  H01L29/78 618E

Fターム (69件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA15 ,  4M118CB05 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB23 ,  4M118GA10 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103BB27 ,  5F103DD30 ,  5F103GG03 ,  5F103HH04 ,  5F103LL13 ,  5F103NN03 ,  5F103RR05 ,  5F110AA01 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110BB10 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG36 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110NN02 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325366   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• ZnO系トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-063924   出願人：ローム株式会社
• 表示基板およびこれを含む表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-000313   出願人：三星電子株式会社
• 放射線撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-304906   出願人：富士フイルム株式会社
• 半導体素子とその製造方法、センサおよび電気光学装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-143255   出願人：富士フイルム株式会社