特許
J-GLOBAL ID：201103021699846253
配線形成法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
加藤 久
, 堀田 幹生
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-034074
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232096
特許番号：特許第4123620号
出願日： 1999年02月12日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板を覆う絶縁膜の上にAl系導電膜及びTi系導電膜を順次に重ねた積層を形成する工程と、
所定の配線パターンに従って前記積層の上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をマスクとし且つハロゲン系ガスを用いるドライエッチングにより前記積層をパターニングして前記積層の残存部からなる配線層を形成する工程であって、前記配線層の側壁に側壁保護膜を形成しつつ前記ドライエッチングを行なう工程と、
前記配線層を形成した後、酸素を含むガスにフッ素系ガスを添加したガスのプラズマにより前記レジスト層をアッシングして除去する工程と、
前記レジスト層を除去した後、30°C以上の温水及び30°Cより低温の冷水を順次に用いる水洗処理により前記配線層から前記側壁保護膜及びハロゲン系残留物を除去する工程と
を含む配線形成法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01)
, H01L 21/3213 ( 200 6.01)
, H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 23/52 ( 200 6.01)
H01L 21/302 102
, H01L 21/88 D
, H01L 21/88 R
