アバランシェフォトダイオード

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：玉蟲久五郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-202236
公開番号（公開出願番号）：特開平3-066179
特許番号：特許第2700492号
出願日： 1989年08月03日
公開日（公表日）： 1991年03月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】n形InP基板上にIn0.52Al0.48Asとこれに格子整合しエネルギーギャップが1eVより小さいInxGa1-xAsyP1-y(0<x<1,0<y<1)を交互に積層した超格子をキャリア増倍層とし、これに接してp形In0.53Ga0.47Asからなる光吸収層を有することを特徴とするアバランシェフォトダイオード。

IPC (1件)：