電子デバイスの絶縁性薄膜の信頼性評価法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：柳瀬睦肇 , 渡部温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-200604
公開番号（公開出願番号）：特開2011-053023
出願日： 2009年08月31日
公開日（公表日）： 2011年03月17日
要約：

【課題】Pool Frenkel障壁高さを求めることにより電子デバイスの絶縁性薄膜の信頼性評価を行う方法を提供する。【解決手段】本発明の一態様は、MLCC1を用意し、MLCCの第1の導電体が抵抗素子2の一方端に電気的に接続され、抵抗素子2の他方端が直流電源3に電気的に接続され、直流電源3がMLCC1の第2の導電体に電気的に接続された接続状態で、直流電源3によって抵抗素子2の他方端と第2の導電体との間に電圧Vを印加した時に抵抗素子2に流れる電流Iを測定し、測定された前記電流Iと前記電圧Vからlog(I/V)とV1/2の関係を求め、前記関係を直線近似した近似直線を求め、前記近似直線によってV1/2が0である時のlog(I/V)の値Cを求め、前記値CからPool Frenkel障壁高さΦPFを求めることにより、前記絶縁性薄膜の質が良いか悪いかを判定する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁性薄膜の一方面に形成された第1の導電体と、前記絶縁性薄膜の他方面に形成された第2の導電体を有する電子デバイスを用意する第1工程と、前記第1の導電体が抵抗素子の一方端に電気的に接続され、前記抵抗素子の他方端が直流電源に電気的に接続され、前記直流電源が前記第2の導電体に電気的に接続された接続状態で、前記直流電源によって前記抵抗素子の他方端と前記第2の導電体との間に電圧Vを印加した時に前記抵抗素子に流れる電流Iを測定する第2工程と、前記第2工程によって測定された前記電流Iと前記電圧Vからlog(I/V)とV1/2の関係を求め、前記関係を直線近似した近似直線を求め、前記近似直線によってV1/2が0である時のlog(I/V)の値Cを求め、前記値CからPool Frenkel障壁高さΦPFを下記式(1)によって求める第3工程と、前記第3工程で求められたPool Frenkel障壁高さΦPFが高い場合は、前記絶縁性薄膜の質が良いと判定し、前記第3工程で求められたPool Frenkel障壁高さΦPFが低い場合は、前記絶縁性薄膜の質が悪いと判定する第4工程と、を具備することを特徴とする電子デバイスの絶縁性薄膜の信頼性評価法。

IPC (4件)：

G01N 27/00 , H01G 13/00 , G01R 31/26 , G01N 27/22

FI (6件)：

G01N27/00 Z , H01G13/00 361C , H01G13/00 361D , G01R31/26 H , G01R31/26 B , G01N27/22 C

Fターム (17件)：

2G003AA02 , 2G003AB01 , 2G003AC01 , 2G003AC08 , 2G003AE09 , 2G003AF06 , 2G003AH04 , 2G060AA09 , 2G060AE29 , 2G060AF11 , 2G060AF15 , 2G060EA07 , 2G060EB07 , 2G060KA15 , 5E082FG26 , 5E082MM35 , 5E082MM38

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