特許
J-GLOBAL ID：201103022307476867
イオン注入装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萼 経夫 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-345040
公開番号（公開出願番号）：特開平2-226645
特許番号：特許第2873704号
出願日： 1989年12月28日
公開日（公表日）： 1990年09月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】ウエハの処理に使用されるイオンビームを形成する装置が、(a)集合して処理すべきウエハ表面とほぼ同じ横断面を有する大きいイオンビーム(14)を形成するために、比較的小さい横断面を有する複数のイオンビーム(13)を発生させるイオン源(10)と、(b)前記小さい横断面のイオンビームの各々に対応して複数の離間したビーム電極(24,25)を配置し、集合した前記イオンビーム(14)のビーム強さを制御するために、前記小さい横断面のイオンビーム(13)内のイオンの偏向を前記ビーム電極により選択的に制御するイオン分散制御装置(12)と、(c)このイオン分散制御装置(12)から出たイオンを分析して、一定のイオンをウエハ処理軌道に沿って進ませる質量分析磁石(16)と、(d)前記一定のイオンが前記質量分析磁石(16)を通過した後、前記イオンと衝突する位置にウエハ(22)を配置するウエハ処理部と、(e)前記ビーム電極(24,25)のバイアス電位を個別に制御する前記イオン分散制御装置(12)に連結し、かつ、前記ウエハ処理部においてウエハ表面に衝突するイオンの制御されたイオン分散を調整するためのコントローラ(28)に接続されたスイッチ手段(26)と、を有することを特徴とするイオン注入装置。
IPC (2件)：
H01J 37/317
, H01L 21/265
H01J 37/317 C
, H01L 21/265 603 D
