特許

J-GLOBAL ID：201103022325408410

銅薄膜のエッチング方法

発明者： 大野 一英 ,  佐藤 政明 ,  有田 睦信
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-079688
公開番号（公開出願番号）：特開平2-260422
特許番号：特許第2613803号
出願日： 1989年03月30日
公開日（公表日）： 1990年10月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上を被覆した銅薄膜のエッチング方法において、前記銅薄膜上を部分的にマスク材で被覆した基板を対向電極型反応性イオンエッチング装置の一方の電極上に配置し、前記電極上に配置した基板を加熱し、前記対向電極型反応性イオンエッチング装置内に四塩化珪素と窒素とを混合した反応ガスを導入し、対向電極型反応性イオンエッチング装置の対向する電極間に高周波電力を印加することによりグロー放電を発生させ、前記銅薄膜の方向性エッチングを行うことを特徴とした銅薄膜のエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3213

FI (3件)：

H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/88 D