特許
J-GLOBAL ID:201103022330945548

超臨界非平衡プラズマ生成装置及び発生方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-075582
公開番号(公開出願番号):特開2011-210459
出願日: 2010年03月29日
公開日(公表日): 2011年10月20日
要約:
【課題】プラズマの優れた反応性を超臨界流体中に重ね合わせる技術として、超臨界流体中での非平衡プラズマ生成装置と発生方法を提供すること。【解決手段】本発明によれば、超臨界流体中での非平衡プラズマを生成する装置および発生方法として、パルス発生回路は低インダクタンスである同軸形状のパルス伝送線路10aと高繰り返しパルス形成部10b を備えた構成とし、急峻な立ち上がりおよび短いパルス幅を有する高繰り返し高電圧パルス発生部10を用いて、ブッシング13加工された高電圧絶縁体2を備えた高圧容器1中に配置された電極間に急峻・短パルス高電圧を繰り返し印加することにより超臨界流体中での非平衡プラズマを生成する装置と発生方法を提供する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
超臨界流体中で非平衡プラズマを生成する超臨界非平衡プラズマ生成装置であって、 超臨界状態が形成できる高温・高圧に耐える高圧容器と、 前記高圧容器内の温度と圧力を制御できる温度・圧力制御部と、 前記高圧容器に配置された高電圧絶縁体と、 前記高圧容器中にあって、高電圧絶縁体内に配置された第1の電極と、 前記高圧容器中にあって、前記第1の電極の対向位置に配置された接地電極と、 前記第1の電極および接地電極間に急峻で且つパルス幅の短い、急峻・短パルス高電圧を印加する高電圧パルス発生部を備え、 前記高圧容器内に超臨界状態を形成し、その中に配置された前記電極間に連続的に非平衡プラズマを生成することを特徴とする超臨界非平衡プラズマ生成装置。
IPC (1件):
H05H 1/24
FI (1件):
H05H1/24

前のページに戻る