特許

J-GLOBAL ID：201103022386891483

フィールドメモリ

発明者： 時任 晃広 ,  黒木 修 ,  甲斐 康員
出願人/特許権者： 株式会社 沖マイクロデザイン ,  沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 柿本 恭成
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-290627
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100184
特許番号：特許第3538375号
出願日： 2000年09月25日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 直列に与えられる画像データの先頭部の複数画素を第1の選択信号に従って順次記憶する第1のレジスタブロックと、前記画像データの残りの画素を記憶するために行及び列のマトリックス状に配置されたメモリセルブロックと、前記画像データを第2の選択信号に従って順次入力して前記メモリセルブロックに行単位で書き込むと共に、該メモリセルブロックから行単位に読み出した画像データを該第2の選択信号に従って直列に出力する第2のレジスタブロックと、前記画像データの列方向の位置を示す列アドレス信号を解読して列選択信号を生成する列デコーダと、入出力される画像データの画素位置を指定するレジスタ許可信号で先頭部の画素が指定されたときには前記列選択信号を前記第1の選択信号として前記第1のレジスタブロックへ与え、該レジスタ許可信号で残りの画素が指定されたときには前記列選択信号を前記第2の選択信号として前記第2のレジスタブロックへ与えるレジスタドライバとを備えたフィールドメモリにおいて、前記レジスタドライバは、複数の制御ノード間を直列に接続するヒューズの切断によって該制御ノードの電位を設定する設定部と、前記制御ノードの電位に基づいて前記列デコーダから与えられる列選択信号の出力先の出力ノードを切り替える切替部と、前記レジスタ許可信号で先頭部の画素が指定されたときには前記出力ノードの信号を前記第1の選択信号として前記第1のレジスタブロックへ与え、該レジスタ許可信号で残りの画素が指定されたときには該出力ノードの信号を前記第2の選択信号として前記第2のレジスタブロックへ与える駆動部とを、有することを特徴とするフィールドメモリ。

IPC (3件)：

G11C 29/00 603 ,  G06T 1/60 450 ,  G11C 11/401

FI (4件)：

G11C 29/00 603 Y ,  G06T 1/60 450 C ,  G11C 11/34 371 H ,  G11C 11/34 371 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-089277
  
• 同期型半導体記憶装置及びその読み出し制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-161907   出願人：富士通株式会社
• 半導体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-080191   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭63-311697