特許

J-GLOBAL ID：201103022497670117

SRAM

発明者： 石井 利生
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-202898
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035939
特許番号：特許第3583028号
出願日： 1999年07月16日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】読出し/書込みを行うディジット線/ワード線を介して、アレイ状に配列されたメモリ・セルを有するSRAMであって、前記ディジット線と該ディジット線に隣接或いは交差する高電位側電源配線との間の寄生容量が、前記ディジット線と該ディジット線に隣接或いは交差する低電位側電源配線との間の寄生容量と、前記ディジット線と該ディジット線に隣接或いは交差する信号配線との間の寄生容量との和と実質的に等しくなるように寄生容量相互の関係を設定したことを特徴とするSRAM。

IPC (3件)：

H01L 21/8244 ,  G11C 11/41 ,  H01L 27/11

FI (2件)：

H01L 27/10 381 ,  G11C 11/34 345