半導体受光装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-083556
公開番号（公開出願番号）：特開平2-262379
特許番号：特許第2793238号
出願日： 1989年03月31日
公開日（公表日）： 1990年10月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電型の半導体基体と、この半導体基体の表面層に形成された第2導電型の受光領域と、前記半導体基体の表面層に前記受光領域を囲み該受光領域とは重ならないように離間して形成されたガードリング領域とを具備し、前記受光領域の全体及びガードリング領域における各々の不純物濃度と各々の深さをそれぞれ同じとし、前記受光領域及びガードリング領域をそれぞれ異なる電極に接続してなることを特徴とする半導体受光装置。

IPC (1件)：